GB/T 6256-1986
Active
GB/T 45716.1-2026
Pending
National standards
GB/T 45716.1-2026 Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)—Part 1:Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
GB/T 45716.1-2026 Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)—Part 1:Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
Basic Information
Standard Code:
GB/T 45716.1-2026
Standard Type:
National standards
Standard Status:
Pending
is_force_gb:
no
CCS Name:
Semiconductor discrete devices
ICS Name:
Diode
Publish Date:
2026-04-30
Implement Date:
2026-11-01
Publisher:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Technical Committee:
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
Pages:
24 pages
Scope
本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的快速偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。
本文件还界定了与常规BTI试验方法有关的术语。
Development Information
Drafting Units:
工业和信息化部电子第五研究所、北京智芯微电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、河北北芯半导体科技有限公司、中国工程物理研究院流体物理研究所、龙腾半导体股份有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、石家庄天林石无二电子有限公司、滁州华瑞微电子科技有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、深圳市芯电元科技有限公司、重庆大学、长春理工大学、粤芯半导体技术股份有限公司、杭州高裕电子科技股份有限公司、南京宽能半导体有限公司、深圳市鲁光电子科技有限公司、无锡新洁能股份有限公司
Drafting Persons:
恩云飞、高汭、肖庆中、李潮、黄鹏、章晓文、林晓玲、何玉娟、杨晓锋、来萍、魏志鹏、韦覃如、韦拢、孙哲、牛皓、鹿祥宾、虞勇坚、贾沛、杨振宝、王凌云、王嘉蓉、周晓阳、杨彦峰、赵玉玲、刘海波、刘健、杨国江、刘月、吴永君、孙守强、吴志刚、谢慧青、朱礼贵、朱袁正
Adopt standards
IEC 62373-1:2020
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Abolished