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GB/T 6616-2023 现行
GB/T 6616-2023 Test method for resistivity of semiconductor wafers and sheet resistance of semiconductor films—Noncontact eddy-current gauge
简介
本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。
本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm～1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/～3.0×103 Ω/。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 6616-2023 |
| CCS | 金属物理性能试验方法 |
| ICS | 金属材料试验 |
| 实施日期 | 2024-03-01 |
价格
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税费
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订单总额（含税）
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