DB35/T 1370-2013 现行 福建省地方标准

DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法

DB35/T 1370-2013

发布日期: 2013-12-04 实施日期: 2014-03-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们
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基本信息

标准编号: DB35/T 1370-2013
标准类型: 地方标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 微波、毫米波二、三极管
国际标准分类名称: 光电子学、激光设备
发布日期: 2013-12-04
实施日期: 2014-03-01
发布单位/组织: 福建省质量技术监督局
归口单位: 省信息化局
页数: 12 页

适用范围

本标准规定了发光二极管芯片(以下简称芯片)的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

研制信息

起草单位:

厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协会、国家半导体发光器件(LED)应用产品质量监督检验中心

起草人:

蔡伟智、梁奋、李国煌、吕艳、时军朋、葛莉荭、黄松金、刘毅清、陈涛、兰国政

页数: 12 页

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