T/ACCEM 515-2025 现行 团体标准

T/ACCEM 515-2025 高性能高密度沟槽栅IGBT器件

T/ACCEM 515-2025 High-performance, high-density trench gate IGBT device

发布日期: 2025-03-20 实施日期: 2025-04-18 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们
价格: $ 20.00
无货

基本信息

标准编号: T/ACCEM 515-2025
标准类型: 团体标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 电子元器件与信息技术
国际标准分类名称: 半导体器分立件综合
发布日期: 2025-03-20
实施日期: 2025-04-18
归口单位: 中国商业企业管理协会

适用范围

主要技术内容:本文件规定了高性能高密度沟槽栅IGBT器件的结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于高性能高密度沟槽栅IGBT器件的生产和检验

研制信息

起草单位:

青岛佳恩半导体有限公司、青岛佳恩半导体科技有限公司、深圳佳恩功率半导体有限公司、苏州创芯致尚微电子有限公司

起草人:

王丕龙、王新强、何钧、李学贵、张凯、吴洪基、陈佳恩、侯彩侠、王永铖、朱建英、朱加庚、马丽娜、李娜、武瑶萍、邓颖、谭文涛、贾洪玉、李永、郑建国、杨玉珍、秦鹏海、李婉秋、刘增、豆坤、李晓东、李大鑫

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