GB/T 14264-1993
被代替
GB/T 45719-2025
现行
国家标准
GB/T 45719-2025 半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
GB/T 45719-2025 Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
价格:
$ 36.00
基本信息
标准编号:
GB/T 45719-2025
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体分立器件
国际标准分类名称:
半导体器分立件综合
发布日期:
2025-05-30
实施日期:
2025-09-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
页数:
16 页
适用范围
本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法，该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。
研制信息
起草单位:
工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、国防科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司电子第五十八研究所
起草人:
路国光、章晓文、林晓玲、游海龙、杨少华、彭超、肖庆中、韦覃如、来萍、梁斌、张魁、赵文斌、晋李华
采用标准
IEC 62416:2010