GB/T 14264-1993
被代替
T/CASME 2136-2026
现行
团体标准
T/CASME 2136-2026 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法
T/CASME 2136-2026 High temperature gate constant bias and alternating bias test method for silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFETs)
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/CASME 2136-2026
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
医用电子仪器设备
国际标准分类名称:
半导体器分立件综合
发布日期:
2026-01-30
实施日期:
2026-03-01
归口单位:
中国中小商业企业协会
适用范围
本文件适用于碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）分立器件（其他封装产品可参照执行）。 本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力的试验环境要求、试验设备要求、试验方法、失效判定规则和试验报告
研制信息
起草单位:
南京第三代半导体技术创新中心有限公司、中国计量科学研究院、南京邮电大学、工业和信息化部电子第五研究所、扬州扬杰电子科技股份有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、湖北九峰山实验室、华兴中科标准技术（北京）有限公司、通标国华标准技术咨询（北京）有限公司
起草人:
张国斌、柏松、张见营、张珺、郭宇锋、李银乐、刘红辉、裘俊庆、杨程、黄润华、陈谷然、李小建、袁俊、李华、任国静、张亚栋