GB/T 20516-2006 现行 国家标准

GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件

GB/T 20516-2006 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4:Microwave devices

发布日期: 2006-10-10 实施日期: 2007-02-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 20516-2006
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 半导体分立器件
国际标准分类名称: 半导体器分立件综合
发布日期: 2006-10-10
实施日期: 2007-02-01
发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体器件标准化技术委员会
页数: 73 页

适用范围

本标准给出了以下门类分立器件的标准: ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管(用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等) ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管(用于谐波发生器、放大器等) ——体效应二极管(用于振荡器、放大器等) ——双极型晶体管(用于放大器、振荡器等) ——场效应晶体管(用于放大器、振荡器等)

研制信息

起草单位:

中国电子科技集团公司第五十五研究所

起草人:

黄玉英、金毓铨

字数: 144 千字 页数: 73 页

采用标准

IEC 60747-4:2001

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