GB/T 14264-1993
被代替
T/CASAS 057-2025
现行
团体标准
T/CASAS 057-2025 高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法
T/CASAS 057-2025 Test method for continuous-switching operation reliability of GaN power devices under high frequency switched conditions
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/CASAS 057-2025
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
医用电子仪器设备
国际标准分类名称:
半导体器分立件综合
发布日期:
2025-08-29
实施日期:
2025-08-29
归口单位:
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围
本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。 本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： 1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件； 3） 以上的晶圆级及封装级产品。 本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。 本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： 1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件； 3） 以上的晶圆级及封装级产品
研制信息
起草单位:
厦门三安集成电路有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、中山大学、广东工业大学、电子科技大学（深圳）高等研究院、深圳平湖实验室、苏州晶湛半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、诸暨市氮矽科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、江苏能华微电子科技发展有限公司、杭州长川科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、北京大学东莞光电研究院、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人:
叶念慈、刘成、徐涵、严丹妮、许亚坡、刘扬、贺致远、明鑫、曾威、王小明、王文平、戴婷婷、罗卓然、向鹏、贾利芳、刘家才、菅端端、武乐可、孙海洋、耿霄雄、谢斌、刘强、高伟