SJ/T 11586-2016 现行 行业标准-电子

SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

SJ/T 11586-2016 The method for testing the total radiation exposure of semiconductor devices to 10KeV low-energy X-rays

发布日期: 2016-01-15 实施日期: 2016-06-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们
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基本信息

标准编号: SJ/T 11586-2016
标准类型: 行业标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 半导体分立器件
国际标准分类名称: 半导体器分立件综合
发布日期: 2016-01-15
实施日期: 2016-06-01
发布单位/组织: 工业和信息化部
归口单位: 工业和信息化部电子工业标准化研究院
页数: 12 页

研制信息

起草单位:

工业和信息化部电子第五研究所

起草人:

罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等

页数: 12 页

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