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GB/T 4058-2009 现行
GB/T 4058-2009 Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
简介
本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。
本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。
硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 4058-2009 |
| CCS | 半金属与半导体材料 |
| ICS | 半导体材料 |
| 实施日期 | 2010-06-01 |
价格
$ 66
小计
$ 66
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 66