GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 4058-2009
现行
国家标准
GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 4058-2009 Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
基本信息
标准编号:
GB/T 4058-2009
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2009-10-30
实施日期:
2010-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
18 页
适用范围
本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。
本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。
硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。
研制信息
起草单位:
峨嵋半导体材料厂
起草人:
何兰英、王炎、张辉坚、刘阳