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GB/T 31225-2014 现行
GB/T 31225-2014 Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer
简介
本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法。
本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10 nm~1 000 nm厚的二氧化硅薄层厚度，其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。
通用商品信息
| 委员会 | 全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC 279) |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 31225-2014 |
| CCS | 基础标准与通用方法 |
| ICS | 长度和角度测量综合 |
| 实施日期 | 2015-04-15 |
价格
$ 50
小计
$ 50
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 50