GB/T 31225-2014 现行 国家标准

GB/T 31225-2014 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法

GB/T 31225-2014 Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer

发布日期: 2014-09-30 实施日期: 2015-04-15 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 31225-2014
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 基础标准与通用方法
国际标准分类名称: 长度和角度测量综合
发布日期: 2014-09-30
实施日期: 2015-04-15
发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC 279)
页数: 9 页

适用范围

本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法。
本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10 nm~1 000 nm厚的二氧化硅薄层厚度,其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。

研制信息

起草单位:

上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心

起草人:

金承钰、李威、梁齐、路庆华、何丹农、张冰

字数: 14 千字 页数: 9 页

引用标准

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