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GB/T 1554-2009 现行
GB/T 1554-2009 Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
简介
本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。
本标准适用于晶向为111、100或110、电阻率为10-3 Ω·cm～104 Ω·cm、位错密度在0 cm-2～105 cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。
本方法也适用于硅单晶片。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 1554-2009 |
| CCS | 半金属与半导体材料 |
| ICS | 半导体材料 |
| 实施日期 | 2010-06-01 |
价格
$ 75
小计
$ 75
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 75