GB/T 1554-2009 现行 国家标准

GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T 1554-2009 Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

发布日期: 2009-10-30 实施日期: 2010-06-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 1554-2009
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 半金属与半导体材料
国际标准分类名称: 半导体材料
发布日期: 2009-10-30
实施日期: 2010-06-01
发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数: 20 页

适用范围

本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。
本标准适用于晶向为111、100或110、电阻率为10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位错密度在0 cm-2~105 cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。
本方法也适用于硅单晶片。

研制信息

起草单位:

峨嵋半导体材料厂

起草人:

何兰英、王炎、张辉坚、刘阳

字数: 37 千字 页数: 20 页

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