PDF
T/CASAS 027-2023 现行
T/CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
简介
主要技术内容:T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaN HEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaN HEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100 〖cm〗2?(V?s)～20000 〖cm〗2?(V?s)。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InP HEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘
通用商品信息
| 委员会 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
|---|---|
| 文献类型 | 团体标准 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CASAS 027-2023 |
| ICS | 半导体器分立件综合 |
| 实施日期 | 2023-07-01 |
价格
$ 20.00
小计
$ 20.00
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 20.00