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GB/T 1551-2021 现行
GB/T 1551-2021 Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
简介
本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。
本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～8×103 Ω·cm，n型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～1.5×104 Ω·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率，测试范围为1×10-3 Ω·cm～1×104 Ω·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2) |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 1551-2021 |
| CCS | 金属物理性能试验方法 |
| ICS | 金属材料试验 |
| 实施日期 | 2021-12-01 |
价格
$ 84
小计
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税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 84