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GB/T 1557-2006
GB/T 1557-2006 The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
简介
本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×1016at·cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。
通用商品信息
| 委员会 | 全国有色金属标准化技术委员会 |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 被代替 |
| 标准编号 | GB/T 1557-2006 |
| CCS | 半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS | 金属材料试验综合 |
| 实施日期 | 2006-11-01 |
价格
$ 44
小计
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税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 44