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GB/T 1553-2023 现行
GB/T 1553-2023 Test methods for minority carrier lifetime in bulk silicon and germanium—Photoconductivity decay method
简介
本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的最短寿命值为50 μs，测试锗单晶最短寿命值为10 μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10 μs。注： 直流光电导衰减方法有两种：直流光电导衰减脉冲光法和直流光电导衰减斩波光法（见附录A）。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 1553-2023 |
| CCS | 金属物理性能试验方法 |
| ICS | 金属材料试验 |
| 实施日期 | 2024-03-01 |
价格
$ 93
小计
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税费
$ 0.00
订单总额（含税）
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