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GB/T 42905-2023 现行
GB/T 42905-2023 Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
简介
本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018 cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 42905-2023 |
| CCS | 金属物理性能试验方法 |
| ICS | 金属材料试验 |
| 实施日期 | 2024-03-01 |
价格
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小计
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税费
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订单总额（含税）
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