GB/T 14264-1993
被代替
GB/T 46789-2025
现行
国家标准
GB/T 46789-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验
GB/T 46789-2025 Semiconductor devices—Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors
价格:
$ 33.00
基本信息
标准编号:
GB/T 46789-2025
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体分立器件
国际标准分类名称:
半导体器分立件综合
发布日期:
2025-12-02
实施日期:
2026-07-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
页数:
12 页
适用范围
本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs)的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。
本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化，例如改变MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。
研制信息
起草单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、合肥华祯智能科技有限公司、佛山市川东磁电股份有限公司、厦门芯阳科技股份有限公司、河北新华北集成电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、上海维安半导体有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、重庆平伟实业股份有限公司、无锡新洁能股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、河北赛美科技有限公司
起草人:
赵海龙、彭浩、张魁、张中、席善斌、黄志强、黄杰、刘东月、冉红雷、尹丽晶、颜天宝、裴选、柳华光、曲韩宾、任怀龙、高博、章晓文、苏海伟、陈磊、李述洲、朱袁正、杨国江、李永安、康金萌
采用标准
IEC 62417:2010