GB/T 1423-1996
现行
GB/T 26070-2010
现行
国家标准
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
GB/T 26070-2010 Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
基本信息
标准编号:
GB/T 26070-2010
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类名称:
金属材料的其他试验方法
发布日期:
2011-01-10
实施日期:
2011-10-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
12 页
适用范围
1.1本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
1.2本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。
研制信息
起草单位:
中国科学院半导体研究所
起草人:
陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立