GB/T 3656-1983
被代替
GB/T 34481-2017
现行
国家标准
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
GB/T 34481-2017 Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
基本信息
标准编号:
GB/T 34481-2017
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
金属化学性能试验方法
国际标准分类名称:
金属材料试验
发布日期:
2017-10-14
实施日期:
2018-07-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
5 页
适用范围
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm2、直径为75 mm~150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
研制信息
起草单位:
云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所
起草人:
惠峰、普世坤、董汝昆