GB/T 4855-1984
废止
T/CIE 126-2021
现行
团体标准
T/CIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法
T/CIE 126-2021 Magnetic random access memory (MRAM) chip testing method
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/CIE 126-2021
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体分立器件
国际标准分类名称:
集成电路、微电子学
发布日期:
2021-12-23
实施日期:
2022-02-10
归口单位:
中国电子学会
页数:
20 页
适用范围
主要技术内容:本标准给出了磁随机存储(Magnetic Random-Access Memory; MRAM)芯片测试方法的术语、测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。本标准适用于磁随机存储芯片测试和磁随机存储芯片关键性能（可靠性和电学参数等）验证
研制信息
起草单位:
北京航空航天大学、北京智芯微电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、上海佑磁信息科技有限公司、北京时代民芯科技有限公司、致真存储（北京）科技有限公司、深圳亘存科技有限责任公司、中国电子技术标准化研究院
起草人:
赵巍胜、彭守仲、李月婷、曹凯华、王昭昊、聂天晓、史可文、王佑、邓尔雅、 陈燕宁、付振、潘成、刘芳、赵桂林、帅喆、孙杰杰、王超、卢辉、王亮、陆时进、李鑫云、曹安妮、王戈飞、刘宏喜、郭玮、何帆、菅端端、南江