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T/CIE 126-2021 现行
T/CIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法
简介
主要技术内容:本标准给出了磁随机存储(Magnetic Random-Access Memory; MRAM)芯片测试方法的术语、测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。本标准适用于磁随机存储芯片测试和磁随机存储芯片关键性能（可靠性和电学参数等）验证
通用商品信息
| 委员会 | 中国电子学会 |
|---|---|
| 文献类型 | 团体标准 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CIE 126-2021 |
| CCS | 半导体分立器件 |
| ICS | 集成电路、微电子学 |
| 实施日期 | 2022-02-10 |
价格
$ 20.00
小计
$ 20.00
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 20.00