GB/T 36474-2018 现行 国家标准

GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法

GB/T 36474-2018 Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)

发布日期: 2018-06-07 实施日期: 2019-01-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 36474-2018
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 半导体集成电路
国际标准分类名称: 集成电路、微电子学
发布日期: 2018-06-07
实施日期: 2019-01-01
发布单位/组织: 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
页数: 15 页

适用范围

本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。
本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。

研制信息

起草单位:

中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司

起草人:

孔宪伟、殷梦迪、尹萍、巨鹏锦、高专、刘建明

字数: 26 千字 页数: 15 页

引用标准

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