GB/T 14264-1993
被代替
GB/T 45718-2025
现行
国家标准
GB/T 45718-2025 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验
GB/T 45718-2025 Semiconductor devices—Time-dependent dielectric breakdown(TDDB) test for inter-metal layers
价格:
$ 44.00
基本信息
标准编号:
GB/T 45718-2025
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体分立器件
国际标准分类名称:
半导体器分立件综合
发布日期:
2025-05-30
实施日期:
2025-09-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
页数:
20 页
适用范围
本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。
研制信息
起草单位:
工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、广东科信电子有限公司、中国电子科技集团公司第二十四研究所、广东汇芯半导体有限公司、上海交通大学、青岛芯瑞智能控制有限公司、电子科技大学
起草人:
高汭、陈义强、王铁羊、柯佳键、冯宇翔、雷志锋、方文啸、杨晓锋、俞鹏飞、来萍、常江、罗俊、纪志罡、李治平、宫玉彬
采用标准
IEC 62374-1:2010