GB/T 4855-1984
废止
GB/T 33657-2017
现行
国家标准
GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
GB/T 33657-2017 Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
基本信息
标准编号:
GB/T 33657-2017
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体集成电路
国际标准分类名称:
集成电路、微电子学
发布日期:
2017-05-12
实施日期:
2017-12-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC 279)
页数:
12 页
适用范围
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
研制信息
起草单位:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
起草人:
陈一峰、陈小刚、宋志棠