GB/T 7581-1987
现行
DB13/T 5695-2023
现行
河北省地方标准
DB13/T 5695-2023 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法
DB13/T 5695-2023 The testing method for trap effect of GaN HEMT RF device
基本信息
标准编号:
DB13/T 5695-2023
标准类型:
地方标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体分立器件
国际标准分类名称:
半导体分立器件
发布日期:
2023-05-06
实施日期:
2023-06-06
发布单位/组织:
河北省市场监督管理局
页数:
12 页
研制信息
起草单位:
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