GB/T 30653-2014 现行 国家标准

GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

GB/T 30653-2014 Test method for crystal quality of Ⅲ-nitride epitaxial layers

发布日期: 2014-12-31 实施日期: 2015-09-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 30653-2014
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 金属物理性能试验方法
国际标准分类名称: 金属材料无损检测
发布日期: 2014-12-31
实施日期: 2015-09-01
发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
页数: 7 页

适用范围

本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法。
本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。

研制信息

起草单位:

中国科学院半导体研究所

起草人:

孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽

字数: 12 千字 页数: 7 页

相关标准

联系我们