GB/T 44558-2024 现行 国家标准

GB/T 44558-2024 Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法

GB/T 44558-2024 Test method for dislocation imaging in Ⅲ-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy

发布日期: 2024-09-29 实施日期: 2025-04-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们
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基本信息

标准编号: GB/T 44558-2024
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 金属物理性能试验方法
国际标准分类名称: 金属材料试验
发布日期: 2024-09-29
实施日期: 2025-04-01
发布单位/组织: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
页数: 16 页

适用范围

本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。

研制信息

起草单位:

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司

起草人:

曾雄辉、董晓鸣、苏旭军、牛牧童、王建峰、徐科、王晓丹、徐军、郭延军、陈家凡、王新强、颜建锋、敖松泉、唐明华、闫宝华、李艳明

字数: 17 千字 页数: 16 页

引用标准

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