GB/T 6256-1986
现行
T/IAWBS 022-2024
现行
团体标准
T/IAWBS 022-2024 SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法
T/IAWBS 022-2024 SiC MOSFET threshold voltage testing method - Current source single point testing method
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/IAWBS 022-2024
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体分立器件
国际标准分类名称:
三极管
发布日期:
2024-12-23
实施日期:
2024-12-30
归口单位:
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
主要技术内容:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量，包含测试原理，测试电路以及测试条件
研制信息
起草单位:
瑶芯微电子（上海）有限公司、西安电子科技大学、电子科技大学、厦门大学、株洲中车时代半导体有限公司、安徽工程大学
起草人:
顾晓健、贾仁需、王贵豹、陈开宇、邓小川、张峰、李诚瞻、钮应喜、林信南