GB/T 14264-1993
被代替
GB/T 29332-2012
现行
国家标准
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
GB/T 29332-2012 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)
基本信息
标准编号:
GB/T 29332-2012
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体三极管
国际标准分类名称:
半导体器分立件综合
发布日期:
2012-12-31
实施日期:
2013-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
页数:
54 页
适用范围
本标准给出了绝缘栅双极晶体管（IGBT）的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。
研制信息
起草单位:
西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技(中国)有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司
起草人:
蔚红旗、张立、陈子颖、乜连波、王晓宝、秦贤满
引用标准
IEC 60747-1:2006
IEC 60747-2
IEC 60747-6
IEC 61340(所有部分)
采用标准
IEC 60747-9:2007