DZ/T 0101.12-1994
现行
SJ 20016-1992
现行
行业标准-电子
SJ 20016-1992 半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１８２型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范
SJ 20016-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes
价格:
$ 30
基本信息
标准编号:
SJ 20016-1992
标准类型:
行业标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
场效应器件
国际标准分类名称:
-
发布日期:
1992-02-01
实施日期:
1992-05-01
页数:
11 页
研制信息
起草单位:
中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂共同
起草人:
王长福、龚云、葛毅妮