GB/T 3656-1983
被代替
GB/T 17170-2015
现行
国家标准
GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
GB/T 17170-2015 Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
基本信息
标准编号:
GB/T 17170-2015
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类名称:
金属材料试验
发布日期:
2015-12-10
实施日期:
2016-07-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
页数:
6 页
适用范围
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。
研制信息
起草单位:
信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会
起草人:
何秀坤、李静、张雪囡