GB/T 3143-1982
现行
GB/T 25188-2010
现行
国家标准
GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量X射线光电子能谱法
GB/T 25188-2010 Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
基本信息
标准编号:
GB/T 25188-2010
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
基础标准与通用方法
国际标准分类名称:
化学分析
发布日期:
2010-09-26
实施日期:
2011-08-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国微束分析标准化技术委员会
页数:
9 页
适用范围
本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。
研制信息
起草单位:
中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院
起草人:
刘芬、王海、赵良仲、宋小平、赵志娟、邱丽美
引用标准
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