GB/T 33236-2016 现行 国家标准

GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法

GB/T 33236-2016 Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method

发布日期: 2016-12-13 实施日期: 2017-11-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 33236-2016
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 基础标准与通用方法
国际标准分类名称: 化学分析
发布日期: 2016-12-13
实施日期: 2017-11-01
发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)
页数: 12 页

适用范围

本标准规定了采用辉光放电质谱(GDMS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定,测量范围是本方法的检出限至0.1%(质量分数),检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正,也可以测量质量分数大于0.1%的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。

研制信息

起草单位:

中国科学院上海硅酸盐研究所

起草人:

卓尚军、钱荣、董疆丽、申如香、盛成、高捷、郑文平

字数: 22 千字 页数: 12 页

引用标准

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