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GB/T 15877-2013 现行 国家标准

GB/T 15877-2013 半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范

GB/T 15877-2013 Semiconductor integrated circuits—Specification of DIP leadframes produced by etching

发布日期: 2013-12-31 实施日期: 2014-08-15 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务，请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 15877-2013
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 半导体集成电路
国际标准分类名称: 集成电路、微电子学
发布日期: 2013-12-31
实施日期: 2014-08-15
发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
页数: 10 页

适用范围

本标准规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求和试验方法及检验规则。
本标准适用于半导体集成电路蚀刻型双列(DIP)封装引线框架(镀金及镀银)，单列蚀刻型引线框架亦可参照使用。

研制信息

起草单位:

宁波东盛集成电路元件有限公司

起草人:

任忠平、尹国钦

字数: 18 千字 页数: 10 页

替代以下标准

GB/T 15877-1995 蚀刻型双列封装引线框架规范

引用标准

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