GB/T 14264-1993
被代替
GB/T 45720-2025
现行
国家标准
GB/T 45720-2025 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验
GB/T 45720-2025 Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown(TDDB)test for gate dielectric films
价格:
$ 50.00
基本信息
标准编号:
GB/T 45720-2025
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
微电路
国际标准分类名称:
半导体器分立件综合
发布日期:
2025-05-30
实施日期:
2025-09-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
页数:
24 页
适用范围
本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。
研制信息
起草单位:
工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、安徽长麦智能科技有限公司、中国科学院半导体研究所、广东汇芯半导体有限公司、贵州振华风光半导体股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市森美协尔科技有限公司
起草人:
陈义强、来萍、高汭、蔡荣敢、冯宇翔、王力纬、董显山、肖庆中、陈媛、常江、刘岳阳、刘岗岗、裴选、张亮旗、冯军宏、迟雷、夏自金、刘世文
采用标准
IEC 62374:2007