GB/T 14264-1993
被代替
T/CASAS 004.2-2018
现行
团体标准
T/CASAS 004.2-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱
T/CASAS 004.2-2018 Silicon carbide substrate and epitaxial layer defect spectrum (4H)
价格:
$ 20.00
基本信息
标准编号:
T/CASAS 004.2-2018
标准类型:
团体标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
金属理化性能试验方法
国际标准分类名称:
半导体器分立件综合
发布日期:
2018-11-20
实施日期:
2018-11-20
归口单位:
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围
主要技术内容:由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了规范4H-SiC缺陷术语和定义，特制定本标准。本标准由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，版权归CASA所有，未经CASA许可不得随意复制；其他机构采用本标准的技术内容制定标准需经CASA允许；任何单位或个人引用本标准的内容需指明本标准的标准号
研制信息
起草单位:
东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院微电子研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院
起草人:
孙国胜、杨霏、柏松、许恒宇、李诚瞻、高玉强、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙