T/ZJATA 0017-2023 Active Group standards

T/ZJATA 0017-2023 Chemical Vapor Deposition (CVD) for the preparation of silicon carbide semiconductor materials and external growth equipment

T/ZJATA 0017-2023 Chemical Vapor Deposition (CVD) for the preparation of silicon carbide semiconductor materials and external growth equipment

Publish Date: 2023-06-20 Implement Date: 2023-07-20 For services related to genuine standard inquiry, procurement, translation, and other related services in China, please Contact Us

Basic Information

Standard Code: T/ZJATA 0017-2023
Standard Type: Group standards
Standard Status: Active
is_force_gb: no
CCS Name: -
ICS Name: Integrated Electromechanical Components
Publish Date: 2023-06-20
Implement Date: 2023-07-20
Technical Committee: 浙江省分析测试协会

Scope

范围:本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备(以下简称碳化硅外延设备)的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。 本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm(4英寸)、150 mm(6英寸)和200 mm(8英寸)SiC 晶片的碳化硅外延设备; 主要技术内容:本文件包含了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备(以下简称“外延设备”)的产品分类、工作条件、技术要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和贮存要求内容,对外延设备的反应室系统、温度控制系统、加热系统、真空系统、加工(碳化硅外延片)质量指标给出了统一技术参数及评价方法。通过对可靠性、加工效率、温度压力流量等关键参数控制,保证了设备的精准性、安全性

Development Information

Drafting Units:

浙江求是半导体设备有限公司、浙江晶盛机电股份有限公司、浙江求是创芯半导体设备有限公司、中国质量认证中心杭州分中心

Drafting Persons:

曹建伟、朱亮、傅林坚、张俊、周建灿、刘毅、沈文杰、金玲飞、刘丹丹、余婷、楼科利、朱盛霞

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