GB/T 8446.2-2022
Active
T/ZJATA 0017-2023
Active
Group standards
T/ZJATA 0017-2023 Chemical Vapor Deposition (CVD) for the preparation of silicon carbide semiconductor materials and external growth equipment
T/ZJATA 0017-2023 Chemical Vapor Deposition (CVD) for the preparation of silicon carbide semiconductor materials and external growth equipment
Basic Information
Standard Code:
T/ZJATA 0017-2023
Standard Type:
Group standards
Standard Status:
Active
is_force_gb:
no
CCS Name:
-
ICS Name:
Integrated Electromechanical Components
Publish Date:
2023-06-20
Implement Date:
2023-07-20
Technical Committee:
浙江省分析测试协会
Scope
范围:本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备(以下简称碳化硅外延设备)的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。 本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm(4英寸)、150 mm(6英寸)和200 mm(8英寸)SiC 晶片的碳化硅外延设备; 主要技术内容:本文件包含了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备(以下简称“外延设备”)的产品分类、工作条件、技术要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和贮存要求内容,对外延设备的反应室系统、温度控制系统、加热系统、真空系统、加工(碳化硅外延片)质量指标给出了统一技术参数及评价方法。通过对可靠性、加工效率、温度压力流量等关键参数控制,保证了设备的精准性、安全性
Development Information
Drafting Units:
浙江求是半导体设备有限公司、浙江晶盛机电股份有限公司、浙江求是创芯半导体设备有限公司、中国质量认证中心杭州分中心
Drafting Persons:
曹建伟、朱亮、傅林坚、张俊、周建灿、刘毅、沈文杰、金玲飞、刘丹丹、余婷、楼科利、朱盛霞
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