JB/T 6481-1992
Active
GB/T 8446.2-2022
Active
National standards
GB/T 8446.2-2022 Heat sinks for power semiconductor devices—Part 2:Measurement methods of thermal resistance andinlet-outlet fluid pressure drop
GB/T 8446.2-2022 Heat sinks for power semiconductor devices—Part 2:Measurement methods of thermal resistance andinlet-outlet fluid pressure drop
Basic Information
Standard Code:
GB/T 8446.2-2022
Standard Type:
National standards
Standard Status:
Active
is_force_gb:
no
CCS Name:
Power semiconductor devices and components
ICS Name:
Integrated Electromechanical Components
Publish Date:
2022-03-09
Implement Date:
2022-10-01
Publisher:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
Technical Committee:
全国电力电子系统和设备标准化技术委员会(SAC/TC 60)
Pages:
16 pages
Scope
本文件给出了电力半导体器件用散热体的热阻和流阻的术语和定义以及测量方法。
本文件适用于电力半导体器件用散热体(包括铸造、挤压、型材和热管散热体)的热阻和流阻测量。
Development Information
Drafting Units:
祥博传热科技股份有限公司、广州高澜节能技术股份有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司、江苏新彩阳机电技术有限公司、河北华整实业有限公司、中车株洲电力机车研究所有限公司、江苏宏微科技股份有限公司、江苏海鼎电气科技有限公司、湖北台基半导体股份有限公司、西安电力电子技术研究所
Drafting Persons:
崔鹏飞、曾茂进、周建辉、文玉良、蔚红旗、桑春、宋晓飞、田恩、王晓宝、陶勇、颜家圣、李小国、关胜利、郭绍强、喻望春、纪卫峰、陆正柏、恽强龙
Same series standard
Replace the following standards
Referenced Standards
Related Standards
JB/T 5835-2005
Active
JB/T 5835-2005 Components of gate terminal for power semiconductor devices
JB/T 10501-2005
Active
JB/T 10501-2005 Ceramic parts of case for power semiconductor devices
T/ZZB 0717-2018
Active
T/ZZB 0717-2018 Micro-AC linear motor
T/ZJATA 0017-2023
Active
T/ZJATA 0017-2023 Chemical Vapor Deposition (CVD) for the preparation of silicon carbide semiconductor materials and external growth equipment
T/CCTAS 116-2024
Active