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GB/T 32282-2015 现行
GB/T 32282-2015 Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy
简介
本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。
本标准适用于位错密度在1×103个/cm2～5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 32282-2015 |
| CCS | 金属物理性能试验方法 |
| ICS | 金属材料试验 |
| 实施日期 | 2016-11-01 |
价格
$ 50
小计
$ 50
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 50