GB/T 32282-2015 现行 国家标准

GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法

GB/T 32282-2015 Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy

发布日期: 2015-12-10 实施日期: 2016-11-01 中国正版标准查询、采购、翻译等其他相关服务,请 联系我们

基本信息

标准编号: GB/T 32282-2015
标准类型: 国家级标准
标准状态: 现行
is_force_gb: no
中国标准分类名称: 金属物理性能试验方法
国际标准分类名称: 金属材料试验
发布日期: 2015-12-10
实施日期: 2016-11-01
发布单位/组织: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
页数: 7 页

适用范围

本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。
本标准适用于位错密度在1×103个/cm2~5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。

研制信息

起草单位:

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司

起草人:

曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科

字数: 13 千字 页数: 7 页

引用标准

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