PDF
GB/T 14144-2009 现行
GB/T 14144-2009 Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
简介
本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 14144-2009 |
| CCS | 半金属与半导体材料 |
| ICS | 半导体材料 |
| 实施日期 | 2010-06-01 |
价格
$ 50
小计
$ 50
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 50