GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 14144-2009
现行
国家标准
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 14144-2009 Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
基本信息
标准编号:
GB/T 14144-2009
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2009-10-30
实施日期:
2010-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
8 页
适用范围
本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
研制信息
起草单位:
峨嵋半导体材料厂
起草人:
杨旭、江莉
替代以下标准
引用标准
采用标准
SEMI MF 1188-1105