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GB/T 24576-2009 现行
GB/T 24576-2009 Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
简介
本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。
本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时，AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 24576-2009 |
| CCS | 半金属与半导体材料 |
| ICS | 半导体材料 |
| 实施日期 | 2010-06-01 |
价格
$ 50
小计
$ 50
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 50