GB/T 11093-1989
被代替
GB/T 24576-2009
现行
国家标准
GB/T 24576-2009 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
GB/T 24576-2009 Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
基本信息
标准编号:
GB/T 24576-2009
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半金属与半导体材料
国际标准分类名称:
半导体材料
发布日期:
2009-10-30
实施日期:
2010-06-01
发布单位/组织:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
页数:
8 页
适用范围
本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。
本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时，AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。
研制信息
起草单位:
信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
起草人:
章安辉、黄庆涛、何秀坤
采用标准
SMEI M63-0306