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GB/T 45716-2025 现行
GB/T 45716-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验
简介
本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。
通用商品信息
| 委员会 | 全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78) |
|---|---|
| 文献类型 | 国家标准 |
| 发布单位 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 |
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | GB/T 45716-2025 |
| CCS | 半导体分立器件 |
| ICS | 半导体器分立件综合 |
| 实施日期 | 2025-09-01 |
价格
$ 36.00
小计
$ 36.00
税费
$ 0.00
订单总额（含税）
$ 36.00