GB/T 14264-1993
被代替
GB/T 45716-2025
现行
国家标准
GB/T 45716-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验
GB/T 45716-2025 Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)
价格:
$ 36.00
基本信息
标准编号:
GB/T 45716-2025
标准类型:
国家级标准
标准状态:
现行
is_force_gb:
no
中国标准分类名称:
半导体分立器件
国际标准分类名称:
半导体器分立件综合
发布日期:
2025-05-30
实施日期:
2025-09-01
发布单位/组织:
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位:
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
页数:
16 页
适用范围
本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。
研制信息
起草单位:
工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、上海交通大学、中科院微电子所、厦门芯阳科技股份有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所
起草人:
恩云飞、高汭、章晓文、来萍、柴智、林晓玲、陈义强、周圣泽、高金环、任鹏鹏、都安彦、李伟聪、陈磊、冉红雷
采用标准
IEC 62373:2006